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| 日本欲借節能半導體奪回話語主導權 |
| （時間:2026-03-28 04:48:29） |
日本東北大學國際集成電子研究開發中心(CIES： Center for Innovative Integrated Electronic Systems)於2015年3月19～20日在東京召開了第一屆成果報告會“1st CIES Technology Forum”。此次會議為期兩天，共有近500人參加。雖然是大學主辦的會議，但據介紹，來自產業界的聽眾比學術界的還要多。
CIES設立於2012年10月，座落在日本東北大學青葉山新校區內，是研究自旋電子等電力電子技術的研發基地。2013年4月竣工的研究樓裏配備了支持300mm晶圓的工藝生產線及測評分析設備。在新一代半導體技術方麵擁有如此完善的開發環境的大學研究基地在全球也是很少見的。
CIES聘(pin)請(qing)了(le)很(hen)多(duo)在(zai)產(chan)業(ye)界(jie)擁(yong)有(you)豐(feng)富(fu)經(jing)驗(yan)的(de)技(ji)術(shu)人(ren)員(yuan)來(lai)擔(dan)任(ren)研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)和(he)教(jiao)師(shi)，所(suo)長(chang)遠(yuan)藤(teng)哲(zhe)郎(lang)就(jiu)是(shi)原(yuan)東(dong)芝(zhi)的(de)存(cun)儲(chu)器(qi)技(ji)術(shu)人(ren)員(yuan)。該(gai)研(yan)發(fa)中(zhong)心(xin)還(hai)積(ji)極(ji)與(yu)產(chan)業(ye)界(jie)合(he)作(zuo)，正(zheng)在(zai)與(yu)東(dong)電(dian)電(dian)子(zi)等(deng)進(jin)行(xing)聯(lian)合(he)研(yan)究(jiu)。通(tong)過(guo)這(zhe)些(xie)努(nu)力(li)，CIES最近實現了STT-MRAM(自旋注入磁化反轉型MRAM)用測量係統的產品化。該中心的聯合研究合作夥伴之一――知名半導體測量裝置企業是德科技日本公司已於2015年3月17日宣布，將於2016年初推出該係統。
將材料與元器件方麵的技術經驗應用於300mm晶圓
此次的會議是CIES的首場成果報告會。第一天的會議內容具有濃厚的國際論壇色彩，英特爾及高通等公司紛紛登台，以STT-MRAM為主題發表了演講。第二天則是對CIES的7個研究項目(Consortium Programme)進行了進度報告等。
在會議首日的主題演講上登台的其中一位是作為日本半導體自旋電子領域“第一人”而為人所知的CIES研究成員、日本東北大學電氣通信研究所教授大野英男，他演講的題目是“Spintronics Devices for Integrated Circuits-An Overview-”。他圍繞自旋電子基本元件――磁性隧道結(MTJ)元件，介紹了旨在實現高穩定性垂直磁化的材料和元器件技術。
大野教授是日本東北大學節能自旋電子學集成化中心(CSIS：Center for Spintronics Integrated Systems)的核心研究人員。他介紹說，CSIS此前一直在進行3英寸(75mm)晶圓方麵的研究，“今後打算把我們已獲得的材料技術等經驗，應用到支持300mm晶圓、而且與產業界親和性較高的CIES裏”。
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