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| 麻省理工推出新款矽基LED 亮度提升十倍 |
| (時間:2026-03-24 23:08:09) |
近日,麻省理工研究團隊宣布,當前設計一款實用性非常強的矽基LED,它將采用正偏方法,相較於其他的矽基LED亮度提升10倍。 本次研製的新款矽基LED采用了正偏方法,同時將LED中PN結的組合方式進行改變,成功將矽材料的光電能量轉換效率提高,進一步提升矽基LED的亮度,並降低了LED的製造成本。 duiyuguicailiaolaishuo,zheshirenleishiyongzuiguangfandecailiaozhiyi,zhuyaoshiyongzaizhizaobandaotiqijianhejichengdianlulingyuzhong。buguoyouyuguicaizhideteshuxing,shizhongmeiyoushejizhiguangxuelingyuzhong,suoyiguijiLED一直沒有實現。 發光二極管內的PN結包含一個P區和N區,這將決定二極管的發光效率。其中,N區內充滿受激的自由電子,P區則具備帶正電荷的空穴,吸引著P區qu的de電dian子zi。隨sui著zhe電dian子zi衝chong入ru空kong穴xue,電dian子zi能neng級ji驟zhou降jiang,便bian可ke以yi釋shi放fang出chu能neng量liang差cha。然ran而er不bu同tong的de半ban導dao體ti材cai料liao具ju備bei不bu同tong的de電dian子zi和he空kong穴xue的de能neng量liang,因yin此ci所suo釋shi放fang出chu來lai的de能neng量liang便bian具ju備bei一yi定ding的de差cha異yi。 目前應用較為普遍的氮化镓、砷化镓等材料屬於直接帶隙材料,常用於LEDzhong,tadedaodaizuixiaozhihejiadaizuidazhijuyoutongyidianzidongliang,daodaididedianziyujiadaidingdekongxuekeyitongguofushefuheerfaguang,fuhejilvda,faguangxiaolvgao。 而(er)矽(gui)作(zuo)為(wei)一(yi)種(zhong)間(jian)接(jie)帶(dai)隙(xi)半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao),其(qi)導(dao)帶(dai)最(zui)小(xiao)值(zhi)和(he)價(jia)帶(dai)最(zui)大(da)值(zhi)的(de)動(dong)量(liang)值(zhi)不(bu)同(tong),它(ta)更(geng)傾(qing)向(xiang)於(yu)將(jiang)能(neng)量(liang)轉(zhuan)化(hua)為(wei)熱(re),而(er)不(bu)是(shi)光(guang),所(suo)以(yi)其(qi)轉(zhuan)換(huan)速(su)度(du)和(he)效(xiao)率(lv)都(dou)不(bu)如(ru)其(qi)他(ta)材(cai)料(liao)。 而在今年,荷蘭埃因霍芬理工大學Erik Bakkers領導的研究團隊采用VLS生(sheng)長(chang)納(na)米(mi)矽(gui)線(xian)成(cheng)功(gong)研(yan)製(zhi)一(yi)種(zhong)新(xin)型(xing)的(de)矽(gui)鍺(zhe)合(he)金(jin)發(fa)光(guang)材(cai)料(liao),成(cheng)功(gong)改(gai)善(shan)上(shang)述(shu)問(wen)題(ti),並(bing)且(qie)通(tong)過(guo)該(gai)材(cai)料(liao)研(yan)製(zhi)出(chu)一(yi)款(kuan)能(neng)夠(gou)集(ji)成(cheng)到(dao)現(xian)有(you)芯(xin)片(pian)中(zhong)的(de)矽(gui)基(ji)激(ji)光(guang)器(qi)。該(gai)款(kuan)激(ji)光(guang)器(qi)的(de)研(yan)製(zhi)成(cheng)功(gong),可(ke)能(neng)會(hui)在(zai)未(wei)來(lai)大(da)幅(fu)降(jiang)低(di)數(shu)據(ju)傳(chuan)輸(shu)的(de)成(cheng)本(ben),並(bing)提(ti)高(gao)效(xiao)率(lv)。 而本次麻省理工團隊進一步提升了矽材質的使用概率,提出了一種N區和P區的新型連接方法,將N區和P區從傳統的並列排放改為垂直疊放,讓二極管內的電子及空穴遠離表麵和邊緣區域,防止電子將電能轉換為熱量,從而提高發光效率。 美國國家標準與技術研究院對該款新型矽基LED作出了評價:“如果你需要低效率、高能耗的光學器件,那麼這款新型矽基LED很適合你。這款LED相較於市場現有產品,製造成本要低很多,更何況現有LED產品尚未集成到芯片上。” 麻省理工研究團隊的研究人員拉傑夫・拉姆表示,矽基LED的特性非常符合近程傳感的需求,並透露團隊將針對智能手機平台研發一個用於近距離測距的全矽基LED係統。 據悉,本次推出的新款矽基LED在IEEE國際電子器件大會上進行展示,並且將在近程傳感方麵有更加廣泛的應用場景。同時,麻省理工研究團隊還準備將此款新款矽基LED集成至CMOS芯片之中,並交於格羅方德在新加坡進行生產。(來源:OFweek半導體照明網)
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